요약이 논문은 Si2Cl6(헥사클로로디실란)과 NH3(암모니아) 플라즈마를 사용하여 실리콘 나이트라이드(SiNx) 박막을 성장시키기 위해 개발된 플라즈마 강화 원자층 증착(ALD) 공정을 다룹니다. 이 공정은 400°C 이하의 기판 온도에서 높은 종횡비 나노구조 위에 95% 이상의 균일성을 갖는 박막을 형성하며, 사이클당 약 1.2 Å의 성장 속도를 보여줍니다. 필름 성장 메커니즘은 현장 감쇠 전반사 푸리에 변환 적외선 분광법(ATR-FTIR)을 사용하여 연구되었습니다.주요 발견성장 메커니즘: 연구 결과 Si2Cl6가 표면 −NH2 그룹과 반응하여 −NH 종을 형성하고, 이는 필름에 포함됩니다. NH3 플라즈마 사이클에서 생성된 라디칼은 표면 Cl 원자를 제거하고 NHx 종으로 표면을 복원합니다. Si−..
