Meow Engineering

오늘은 디스크에 균일하게 입사하는 열에 의한 열응력을 계산해보고자 합니다. 

형상 및 가정

- 원형 디스크, 반지름 $R$

- 얇은 평판 → plane stress 조건

- 축대칭 (모든 물리량은 r에만 의존, $\theta$ 에 무관)

- 온도 분포: $T=T(r)$

- 재료는 선형 탄성, 등방성

- 구속 조건은 내부 응력만으로 평형을 이룬다고 가정 (즉, 외력 없이도 내부 응력 존재) 

1. 변형률 - 변위(Strain - Displacement) 관계

축대칭이므로, 변위는 반지름 방향으로만 존재하므로 u=u(r)이며, strain은 다음과 같다. 

$$\epsilon_r = du/dr, \epsilon = u/r$$

$\epsilon = u/r$ 은 원주방향 strain이기 때문에, 원주가 반경방향으로 팽창함에 따른 원주의 길이 증가를 생각하면 된다. 

단위 원주를 $L_0 = r \cdot d\theta$ 이라고 할때, 축대칭 팽창하게 되면 이 단위 원주는 $L=(r+u(r)) \cdot d\theta$가 되므로, 변형률은 $ \epsilon = (L-L_0)/L = u/r $이 된다. 

2. Stress-strain 관계

등방성재료에서 열팽창이 없는 경우의 일반적인 Hooke's law는 다음과 같다. 

$$\sigma_r= \frac{E}{1-\nu^2} (\epsilon_r + \nu \epsilon_\theta) $$

$$\sigma_\theta=\frac{E}{1-\nu^2} (\epsilon_\theta + \nu \epsilon_r) $$

여기서 자유열팽창을 빼서 기계적 strain만을 고려하게 되면 다음과 같아진다. 

$$\sigma_r= \frac{E}{1-\nu^2} (\epsilon_r + \nu \epsilon_\theta - \alpha(1+\nu)T(r)) $$

$$\sigma_\theta=\frac{E}{1-\nu^2} (\epsilon_\theta + \nu \epsilon_r - \alpha(1+\nu)T(r) ) $$

3. 요소에 대한 힘평형방정식

$$ \frac{d\sigma_r}{dr} + \frac{\sigma_r-\sigma_\theta}{r} = 0 $$

$rd\theta, dr, (r+dr)\theta$ 로 구성된 고리의 미소요소에 $\sigma_r (r), \sigma_\theta, \sigma_r (r+dr) $을 넣고 힘평형 방정식을 세우면 구할 수 있다. 

4. 미분방정식 구성

$$ \frac{d^2u}{dr^2}+\frac{1}{r}\frac{du}{dr}-\frac{u}{r^2}=\frac{(1+\nu)\alpha}{1-\nu}(\frac{dT}{dr}+\frac{\nu}{r}T) $$

u에 대해서 stress와 strain을 정리하며 구성하면 위 미분방정식을 얻을 수 있다. 

5. 미분방정식의 해

$$ \sigma_r (r) = \frac{E\alpha}{1-\nu}[\frac{1}{r}\int_0^r T(\rho)d\rho+\nu \int_r^R \frac{T(\rho)}{\rho} d\rho - T(r)] $$

$$ \sigma_\theta (r) = \frac{E\alpha}{1-\nu}[\frac{1}{r}\int_0^r T(\rho)d\rho+\nu \int_r^R \frac{T(\rho)}{\rho} d\rho - \nu T(r)] $$

예제: 균일 입사열 온도 구배에 따른 응력 분포

$$T(r) = T_0+ \Delta T(1- \frac{r^2}{R^2}) $$

$$ \sigma_r (r) = \frac{E\alpha\Delta T}{1-\nu}(\frac{1-2(r/R)^2}{4}) $$

$$ \sigma_\theta (r) = \frac{E\alpha\Delta T}{1-\nu}(\frac{1+2(r/R)^2}{4}) $$

전압 조정기(Voltage Regulator)는 입력 전압을 일정한 출력 전압으로 변환하여 전자 장치에 안정적인 전원을 공급하는 장치입니다. 여러 가지 종류의 전압 조정기가 있으며, 주요 유형은 다음과 같습니다:

1. 선형 전압 조정기 (Linear Voltage Regulator)

• 고정 출력 전압 조정기 (Fixed Output Voltage Regulator):
• 특정한 출력 전압으로 고정된 전압을 제공합니다.
• 대표적인 예: 7805 (5V), 7812 (12V)
• 가변 출력 전압 조정기 (Adjustable Output Voltage Regulator):
• 외부 저항을 통해 원하는 출력 전압으로 조정할 수 있습니다.
• 대표적인 예: LM317
• Low Dropout Regulator (LDO):
• 매우 낮은 드롭아웃 전압으로, 입력 전압이 출력 전압보다 약간만 높아도 작동할 수 있습니다.
• 주로 배터리로 구동되는 장치에서 사용됩니다.

2. 스위칭 전압 조정기 (Switching Voltage Regulator)

• Buck 컨버터 (Step-Down Converter):
• 입력 전압보다 낮은 출력 전압을 생성합니다.
• 효율이 높고, 전력 손실이 적습니다.
• Boost 컨버터 (Step-Up Converter):
• 입력 전압보다 높은 출력 전압을 생성합니다.
• 입력 전압보다 더 높은 전압을 필요로 하는 장치에 사용됩니다.
• Buck-Boost 컨버터:
• 입력 전압보다 높거나 낮은 출력 전압을 생성할 수 있습니다.
• 넓은 범위의 전압 변환이 가능합니다.
• Cuk 컨버터:
• 출력 전압이 입력 전압보다 크거나 작을 수 있으며, 폴라리티를 반전시킵니다.
• EMI가 적고, 높은 효율을 가집니다.
• SEPIC 컨버터 (Single-Ended Primary Inductor Converter):
• 입력 전압보다 크거나 작을 수 있는 출력을 제공하며, 출력 전압이 입력 전압과 같은 폴라리티를 가집니다.
• 넓은 입력 전압 범위에서 안정적인 출력을 제공합니다.

3. 기타 유형

• Zener 다이오드 기반 전압 조정기:
• 간단한 회로로 소규모 전력 변환에 사용됩니다.
• Zener 다이오드를 사용하여 일정한 출력 전압을 유지합니다.
• Shunt Regulator:
• 병렬로 연결되어 과잉 전류를 접지로 보내는 방식으로 전압을 조정합니다.
• 간단한 회로로 저전력 애플리케이션에 적합합니다.
• 고효율 전압 조정기 (High-Efficiency Voltage Regulator):
• 전력 효율이 중요한 응용 분야에서 사용됩니다.
• 일반적으로 스위칭 전압 조정기 기술을 사용합니다.

각 전압 조정기의 장단점

선형 전압 조정기

• 장점: 간단한 설계, 저잡음 특성
• 단점: 낮은 효율성, 높은 발열

스위칭 전압 조정기

• 장점: 높은 효율성, 다양한 전압 변환 가능
• 단점: 복잡한 설계, EMI 문제

Zener 다이오드 기반 전압 조정기

• 장점: 매우 간단하고 저렴
• 단점: 낮은 효율성, 제한된 전력 용량

전압 조정기의 선택은 응용 분야, 효율성, 발열 관리, 잡음 민감도 등 여러 요인을 고려하여 결정됩니다. 각 유형의 전압 조정기는 특정 상황에서 최적의 성능을 발휘할 수 있도록 설계되었습니다.

선형 전압 조정기(Linear Voltage Regulator)

선형 전압 조정기는 입력 전압을 일정한 출력 전압으로 조정하는 전자 부품입니다. 주로 전력 공급 장치에서 사용되며, 입력 전압 변동이나 부하 변동에도 불구하고 일정한 출력 전압을 유지하는 역할을 합니다.

주요 특징

1. 단순한 설계:
• 비교적 간단한 회로 구조를 가지고 있어 설계가 용이합니다.
• 외부 부품이 적어 비용과 공간을 절약할 수 있습니다.
2. 연속적인 동작:
• 선형 전압 조정기는 입력 전압에서 출력 전압을 직접 선형적으로 조정합니다. 즉, 입력 전압에서 출력 전압 사이의 차이를 열로 소모하여 전압을 조정합니다.
• 스위칭 노이즈가 없어 출력 전압이 매우 깨끗하고 안정적입니다.
3. 낮은 효율성:
• 입력 전압과 출력 전압 사이의 전압 차이가 클수록 효율이 낮아집니다. 이 차이는 열로 변환되어 소모됩니다.
• 예를 들어, 입력 전압이 12V이고 출력 전압이 5V인 경우, 나머지 7V는 열로 소모되므로 전력 손실이 큽니다.

동작 원리

선형 전압 조정기는 주로 다음과 같은 구성 요소로 이루어져 있습니다:

• 참조 전압 (Reference Voltage): 안정적인 기준 전압을 제공합니다.
• 에러 앰프 (Error Amplifier): 출력 전압을 참조 전압과 비교하여 오류 신호를 생성합니다.
• 패스 엘리먼트 (Pass Element): 보통 NPN 트랜지스터나 PNP 트랜지스터, 또는 MOSFET이 사용되며, 에러 앰프의 신호를 받아 전류를 조절합니다.
• 피드백 회로: 출력 전압을 지속적으로 모니터링하여 에러 앰프에 피드백을 제공합니다.

유형

1. 고정 출력 전압 조정기 (Fixed Output Voltage Regulator):
• 특정 출력 전압으로 고정되어 있습니다. 예를 들어, 5V, 12V 등의 고정된 출력 전압을 제공합니다.
• 대표적인 예: 7805 (5V), 7812 (12V)
2. 가변 출력 전압 조정기 (Adjustable Output Voltage Regulator):
• 출력 전압을 조정할 수 있으며, 외부 저항을 통해 원하는 출력 전압을 설정할 수 있습니다.
• 대표적인 예: LM317

응용 분야

선형 전압 조정기는 다음과 같은 분야에서 널리 사용됩니다:

• 전자 기기: 라디오, 텔레비전, 오디오 장비 등에서 안정적인 전압 공급을 위해 사용됩니다.
• 컴퓨터 시스템: 마이크로프로세서, 메모리 및 기타 디지털 회로에 전원을 공급합니다.
• 임베디드 시스템: 센서, 액추에이터 등 다양한 임베디드 시스템에서 전원 관리에 사용됩니다.

선형 전압 조정기는 잡음이 적고 출력 전압이 안정적이기 때문에 민감한 전자 회로에 적합하지만, 높은 효율이 요구되는 응용 분야에서는 스위칭 전압 조정기(Switching Voltage Regulator)가 더 적합할 수 있습니다.

Low Dropout Voltage Regulator

Low Dropout Linear Regulator (LDO)에 대해 설명해드리겠습니다.

정의

LDO는 전압 조정기(regulator) 중 하나로, 출력 전압이 입력 전압보다 낮을 때 그 차이가 작은 경우에도 동작할 수 있는 전압 조정기입니다. 주로 전원 공급 장치에서 사용되며, 출력 전압을 안정적으로 유지하는 역할을 합니다.

주요 특징

1. 낮은 드롭아웃 전압 (Low Dropout Voltage):
• LDO는 입력 전압과 출력 전압의 차이(드롭아웃 전압)가 매우 작아도 정상적으로 작동할 수 있습니다. 이는 일반적인 선형 전압 조정기와의 주요 차이점입니다.
• 예를 들어, 출력 전압이 5V이고 드롭아웃 전압이 0.3V인 LDO는 최소 5.3V의 입력 전압만 있으면 작동할 수 있습니다.
2. 전력 효율성:
• 드롭아웃 전압이 낮기 때문에, 전력 손실이 줄어들어 효율이 높아집니다. * 드롭아웃 전압이 낮아서 열변환되는 전력이 적다는 의미로 효율이 좋다는 뜻입니다.
• 특히 배터리로 구동되는 장치에서 효율성을 높이는 데 유리합니다.
3. 단순한 설계:
• LDO는 비교적 단순한 회로 설계를 가지고 있으며, 외부 부품이 적어 설계가 간단합니다.
• 소형화된 패키지로 제공될 수 있어 공간 절약에 유리합니다.
4. 저잡음 특성:
• 스위칭 전압 조정기와 비교했을 때, LDO는 상대적으로 잡음이 적습니다. 이로 인해 민감한 아날로그 회로에서 자주 사용됩니다.

동작 원리

LDO는 주로 다음과 같은 구성 요소로 이루어져 있습니다:

• 에러 앰프 (Error Amplifier): 출력 전압을 참조 전압(reference voltage)과 비교하여 오류 신호를 생성합니다.
• 패스 트랜지스터 (Pass Transistor): 오류 신호를 바탕으로 출력 전압을 조정합니다. 이는 보통 PNP 트랜지스터나 P-채널 MOSFET으로 구성됩니다.
• 참조 전압: 안정적인 기준 전압을 제공하여 출력 전압의 기준이 됩니다.
• 피드백 회로: 출력 전압을 지속적으로 모니터링하고 오류 앰프에 피드백을 제공합니다.

응용 분야

LDO는 다양한 전자 기기에서 널리 사용됩니다:

• 모바일 기기: 스마트폰, 태블릿, 웨어러블 디바이스 등에서 배터리 전원을 효율적으로 관리하기 위해 사용됩니다.
• 아날로그 회로: 낮은 잡음 특성이 필요한 오디오 장치, 센서, 측정 기기 등에서 사용됩니다.
• 임베디드 시스템: 마이크로컨트롤러와 기타 디지털 회로에 안정적인 전원을 공급합니다.

LDO는 특히 소형화되고 배터리 수명을 연장해야 하는 전자 기기에서 필수적인 부품입니다.

스위칭 전압 조정기(Switching Voltage Regulator)

스위칭 전압 조정기는 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환하기 위해 고속 스위칭 소자(트랜지스터 등)를 사용하는 전압 조정기입니다. 이 과정에서 전력을 효율적으로 변환할 수 있어 높은 효율성을 제공합니다.

주요 특징

1. 높은 효율성:
• 스위칭 전압 조정기는 전력 손실이 적고 효율이 90% 이상일 수 있습니다. 이는 특히 입력 전압과 출력 전압 간의 차이가 큰 경우에 유리합니다.
2. 다양한 출력 전압:
• 입력 전압보다 높은 출력 전압(Boost), 낮은 출력 전압(Buck), 또는 입력 전압을 양방향으로 조정하는 경우(Buck-Boost) 등 다양한 전압 변환이 가능합니다.
3. 복잡한 설계:
• 스위칭 소자와 인덕터, 커패시터 등의 수동 소자를 포함하여 설계가 복잡합니다.
• 전자기적 간섭(EMI) 및 잡음 문제를 고려해야 합니다.

동작 원리

스위칭 전압 조정기는 다음과 같은 구성 요소로 이루어져 있습니다:

• 스위칭 소자 (Switching Element): 고속으로 스위칭하는 트랜지스터(FET, BJT 등)가 사용됩니다.
• 인덕터 (Inductor): 에너지를 저장하고 필요한 전압으로 변환하는 데 사용됩니다.
• 다이오드 (Diode): 전류의 방향을 제어하고, 스위칭 소자의 동작을 보조합니다.
• 커패시터 (Capacitor): 출력 전압을 평활하게 유지합니다.
• 제어 회로 (Control Circuit): 출력 전압을 모니터링하고, 스위칭 소자를 제어하여 안정적인 출력 전압을 유지합니다.

유형

1. Buck 컨버터:
• 입력 전압보다 낮은 출력 전압을 생성합니다.
• 예: 12V 입력을 5V 출력으로 변환.
2. Boost 컨버터:
• 입력 전압보다 높은 출력 전압을 생성합니다.
• 예: 5V 입력을 12V 출력으로 변환.
3. Buck-Boost 컨버터:
• 입력 전압보다 높거나 낮은 출력 전압을 생성할 수 있습니다.
• 예: 5V 입력을 3V 또는 12V 출력으로 변환.

응용 분야

스위칭 전압 조정기는 높은 효율성과 다양한 전압 변환 기능으로 인해 다음과 같은 분야에서 널리 사용됩니다:

• 컴퓨터 시스템: CPU, GPU와 같은 고성능 전자 부품에 안정적인 전원을 공급.
• 통신 장비: 라우터, 스위치, 무선 통신 장비 등.
• 모바일 기기: 스마트폰, 태블릿, 노트북 등 배터리로 구동되는 기기.
• 산업 장비: 공장 자동화 장비, 로봇, 전력 변환 시스템 등.
• 자동차 전장: 전기차, 하이브리드 차량의 전력 변환 시스템.

장점과 단점

장점

• 높은 효율성: 전력 손실이 적어 배터리 수명이 중요한 응용 분야에 적합.
• 다양한 출력 전압: 다양한 입력 전압을 원하는 출력 전압으로 변환 가능.
• 열 관리 용이: 효율이 높아 발열이 적음.

단점

• 복잡한 설계: 회로 설계가 복잡하며, 외부 부품이 많이 필요.
• 전자기 간섭(EMI): 스위칭 동작으로 인해 발생하는 EMI를 억제해야 함.
• 비용: 복잡한 회로와 부품으로 인해 비용이 높을 수 있음.

스위칭 전압 조정기는 고효율이 요구되는 전력 변환 응용 분야에서 필수적인 부품으로, 그 중요성이 점점 더 커지고 있습니다.

PCB(Printed Circuit Board) 기판을 설계할 때 사용되는 축전기에는 다양한 유형이 있습니다. 각 축전기는 특정 용도와 특성을 가지고 있어 설계 목적에 따라 적절한 축전기를 선택해야 합니다. 다음은 PCB 설계 시 주로 사용되는 다양한 축전기 유형입니다:

1. 알루미늄 전해질 축전기 (Aluminum Electrolytic Capacitor)

• 특징: 높은 용량과 저비용으로 대용량 저장이 필요할 때 사용됨.
• 용도: 전원 공급 장치의 필터링, 디커플링, 커플링 등.
• 제한 사항: 상대적으로 큰 크기와 낮은 주파수 특성, 극성 존재.

2. 탄탈륨 축전기 (Tantalum Capacitor)

• 특징: 안정된 성능, 높은 용량 밀도, 긴 수명.
• 용도: 고신뢰성 회로, 소형 전자 기기, 휴대용 장치.
• 제한 사항: 비용이 높고, 극성 존재.

3. 세라믹 축전기 (Ceramic Capacitor)

• 특징: 낮은 ESR, 높은 주파수 특성, 소형화.
• 용도: RF 회로, 필터링, 디커플링, 커플링.
• 제한 사항: 낮은 용량, 고전압에서 취약.

4. 필름 축전기 (Film Capacitor)

• 특징: 낮은 손실, 우수한 안정성, 고전압 특성.
• 용도: 신호 처리, 타이밍 회로, 고주파 회로.
• 제한 사항: 비교적 큰 크기.

5. 슈퍼 캐패시터 (Supercapacitor)

• 특징: 매우 높은 용량, 빠른 충전/방전, 긴 수명.
• 용도: 에너지 저장, 백업 전원, 피크 전류 제공.
• 제한 사항: 낮은 전압, 비용이 높음.

6. 폴리머 축전기 (Polymer Capacitor)

• 특징: 낮은 ESR, 높은 주파수 특성, 안정된 성능.
• 용도: 컴퓨터, 통신 장비, 전원 회로.
• 제한 사항: 비용이 비교적 높음.

7. 전해 이중층 커패시터 (EDLC, Electric Double-Layer Capacitor)

• 특징: 매우 높은 용량, 빠른 충전/방전.
• 용도: 에너지 저장, 전력 백업.
• 제한 사항: 낮은 전압, 비교적 큰 크기.

PCB 설계 시 축전기 선택 고려사항

• 용량 및 전압 요구 사항: 필요한 용량과 전압에 따라 적절한 축전기를 선택.
• 주파수 특성: 회로의 작동 주파수에 맞는 축전기 선택.
• 공간 제한: PCB 기판의 크기와 공간 제약을 고려한 축전기 크기.
• 신뢰성 및 수명: 사용 환경과 기대 수명을 고려하여 신뢰성이 높은 축전기 선택.
• 비용: 예산에 맞는 축전기 선택.

이 다양한 축전기들은 각각의 특성과 용도에 따라 PCB 설계 시 적절하게 선택되어야 합니다. 각 축전기의 장단점을 이해하고, 설계 요구 사항에 맞는 축전기를 사용하는 것이 중요합니다.

세라믹 축전기

세라믹 축전기는 도자기나 다른 비금속 무기질을 유전체로 사용하는 축전기로, 전자 기기에서 흔히 사용됩니다. 세라믹 축전기의 주요 특징과 장점은 다음과 같습니다:

1. 구조와 재료:
• 유전체: 세라믹 물질(예: 산화티타늄, 산화알루미늄 등)을 사용하여 유전체를 형성합니다. 다양한 종류의 세라믹이 사용될 수 있으며, 각기 다른 전기적 특성을 가집니다.
• 전극: 세라믹 유전체의 양면에 금속 전극(보통 은, 니켈, 팔라듐 등)을 증착하여 전극을 만듭니다.
2. 특징:
• 소형화: 매우 작은 크기에서 높은 용량을 제공할 수 있습니다.
• 높은 절연 저항: 누설 전류가 거의 없어 안정적입니다.
• 온도 안정성: 온도 변화에 따른 특성이 안정적이며, 넓은 온도 범위에서 사용할 수 있습니다.
• 높은 주파수 특성: 고주파 응답이 우수하여 고주파 회로에서 자주 사용됩니다.
• 비극성: 극성이 없어서 설치 시 극성에 신경 쓰지 않아도 됩니다.
3. 용도:
• 필터링: 전원 공급 장치나 전자 회로에서 노이즈 필터링에 사용됩니다.
• 커플링 및 디커플링: 신호 결합 및 차단에 사용됩니다.
• 타이밍 및 주파수 안정화: 발진기 및 타이밍 회로에서 사용됩니다.
• 고주파 회로: 무선 주파수(RF) 회로에서 고주파 특성을 이용하여 사용됩니다.
4. 종류:
• MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor): 여러 층의 세라믹과 전극을 쌓아 올려 만든 다층 세라믹 축전기입니다. 높은 용량과 소형화가 특징입니다.
• 디스크 세라믹 축전기: 원형 디스크 형태로, 주로 저용량 용도로 사용됩니다.

세라믹 축전기는 다양한 전자 기기에서 널리 사용되며, 그 작은 크기와 뛰어난 성능 덕분에 매우 인기 있는 축전기 유형 중 하나입니다.

MLCC(Multilayer Ceramic Capacitor)

멀티레이어 세라믹 축전기(Multilayer Ceramic Capacitor, MLCC)는 여러 층의 세라믹과 금속 전극을 교대로 쌓아 만든 축전기입니다. MLCC는 높은 용량, 소형화, 우수한 전기적 특성 등으로 인해 전자 기기에서 광범위하게 사용됩니다. 다음은 MLCC에 대한 자세한 설명입니다:

구조와 제작

• 레이어 구조: MLCC는 여러 층의 세라믹 유전체와 금속 전극이 교대로 쌓여 있는 구조로 되어 있습니다. 이 구조는 단일 레이어 세라믹 축전기보다 높은 용량을 제공할 수 있습니다.
• 재료:
• 유전체: 바륨 티타네이트(BaTiO3)와 같은 고유전율 세라믹 재료가 주로 사용됩니다.
• 전극: 니켈(Ni), 팔라듐(Pd), 은(Ag) 등 다양한 금속이 사용되며, 이는 전기적 연결과 내부 층간 접촉을 위해 중요한 역할을 합니다.
• 소결: 층을 쌓은 후, 소결 과정을 통해 고온에서 압착하여 단단한 일체형 축전기를 만듭니다.

특징

• 고용량: 다층 구조로 인해 같은 크기에서 단일 층 축전기보다 훨씬 높은 용량을 가질 수 있습니다.
• 소형화: 높은 용량을 소형 패키지에서 제공하여, 소형화된 전자 기기에 적합합니다.
• 낮은 ESR(등가 직렬 저항): 낮은 ESR로 인해 고주파 응답이 우수하고, 전력 손실이 적습니다.
• 우수한 온도 안정성: 다양한 온도 조건에서도 성능이 안정적입니다.
• 높은 신뢰성: 구조적으로 견고하고, 장시간 사용에도 성능이 유지됩니다.

용도

• 전자 회로의 필터링: 전원 공급 회로에서 전압 리플을 제거하고 노이즈를 필터링하는 데 사용됩니다.
• 커플링 및 디커플링: 신호 회로에서 AC 신호를 커플링하거나, DC 성분을 차단하는 용도로 사용됩니다.
• 타이밍 및 발진 회로: 주파수 안정성과 타이밍 기능을 제공하는 발진 회로에서 사용됩니다.
• 일반적인 전자 기기: 컴퓨터, 스마트폰, 텔레비전 등 다양한 전자 제품에 사용됩니다.

장점과 제한 사항

• 장점:
• 높은 신뢰성과 긴 수명
• 소형화된 고용량 디자인
• 우수한 고주파 특성
• 제한 사항:
• 전기 기계적 스트레스(EMI) 및 충격에 민감할 수 있음
• 제조 공정이 복잡하여 다른 유형의 축전기보다 비용이 높을 수 있음

MLCC는 현대 전자 기기의 핵심 구성 요소 중 하나로, 그 뛰어난 성능과 소형화 능력 덕분에 필수적인 부품으로 자리잡고 있습니다.

Tantalum Capacitor(탄탈륨 축전기)

탄탈륨 축전기(Tantalum Capacitor)는 탄탈륨 금속을 사용한 전해질 축전기의 일종입니다. 탄탈륨 축전기는 높은 정밀도와 안정성을 갖추고 있어 다양한 전자 장치에 널리 사용됩니다. 주요 특징과 장점은 다음과 같습니다:

1. 구조와 재료:
• 양극: 순수한 탄탈륨 분말을 사용해 양극을 형성합니다. 이 분말을 압축하여 구형으로 만들고, 소결 과정을 통해 단단한 덩어리로 만듭니다.
• 전해질: 탄탈륨 산화물(Ta2O5)이 자연 산화층을 형성하여 전해질 역할을 합니다. 이는 매우 높은 유전율과 안정성을 제공합니다.
• 음극: 탄탈륨 산화물 위에 망간 이산화물(MnO2)이나 전도성 고분자를 도포하여 음극을 형성합니다.
2. 특징:
• 고용량: 같은 크기에서 더 높은 용량을 제공하여 소형화된 전자 장치에 유리합니다.
• 안정성: 온도 변화와 전압 변동에 대한 안정성이 뛰어납니다.
• 낮은 누설 전류: 전기적으로 매우 안정하여 누설 전류가 적습니다.
• 수명: 장시간 사용에도 성능이 유지되며, 신뢰성이 높습니다.
3. 용도:
• 휴대용 전자기기: 스마트폰, 태블릿, 노트북 등에서 전력 저장과 필터링에 사용됩니다.
• 의료 기기: 높은 신뢰성과 안정성이 요구되는 장비에서 사용됩니다.
• 산업 및 군용: 극한의 환경에서도 성능을 유지해야 하는 장비에서 사용됩니다.
4. 제한 사항:
• 비용: 다른 유형의 축전기보다 비쌉니다.
• 전압 한계: 상대적으로 낮은 전압에서만 사용이 가능합니다.
• 폴라리티: 전해질 축전기이므로 잘못된 극성 연결 시 손상이 발생할 수 있습니다.

탄탈륨 축전기는 그 특유의 성능 때문에 고가치 전자 기기에서 중요한 역할을 하지만, 비용과 특정 제한 사항을 고려해야 합니다.

Aluminum Electrolytic Capacitor

알루미늄 전해질 축전기(Aluminum Electrolytic Capacitor)는 널리 사용되는 전해질 축전기 중 하나로, 알루미늄을 주요 재료로 사용하여 전해질을 통해 전기 용량을 크게 증가시킨 축전기입니다. 다음은 알루미늄 전해질 축전기의 주요 특징, 구조, 용도, 장단점에 대한 설명입니다:

구조와 재료

• 양극: 알루미늄 포일에 산화 알루미늄(Al2O3) 층이 형성된 형태입니다. 이 산화층이 유전체 역할을 합니다.
• 음극: 전해질이 음극 역할을 하며, 전해질은 일반적으로 액체 상태로 전기 전도성을 가집니다.
• 전해질: 전해질은 보통 보론산 등의 화합물로 이루어져 있으며, 알루미늄 포일 사이에 포화된 상태로 배치됩니다.
• 포장: 알루미늄 포일과 전해질은 종이나 플라스틱 필름으로 감싸져 실린더 형태로 만들어집니다. 이 실린더는 금속 캔으로 밀봉됩니다.

특징

• 고용량: 알루미늄 전해질 축전기는 상대적으로 작은 크기에서 높은 용량을 제공합니다. 이는 주로 고유전율의 전해질을 사용하기 때문입니다.
• 저비용: 다른 유형의 축전기에 비해 저렴하게 대량 생산할 수 있습니다.
• 극성: 전해질 축전기는 극성이 있으며, 잘못된 극성 연결 시 손상될 수 있습니다.
• 온도 안정성: 특정 온도 범위 내에서 안정적으로 작동하나, 극한의 온도에서는 성능이 저하될 수 있습니다.
• 수명: 장시간 사용 시 전해질의 증발로 인해 성능이 저하될 수 있으며, 수명은 제한적입니다.

용도

• 전원 공급 장치: 필터링과 리플 억제에 사용되어 부드러운 DC 전원을 제공합니다.
• 오디오 장비: 커플링과 디커플링에 사용되어 신호 품질을 유지합니다.
• 일반 전자 기기: 다양한 전자 회로에서 에너지 저장과 필터링 용도로 사용됩니다.
• 산업용 기기: 대용량 전력 변환 장치와 같은 고전력 응용 분야에서 사용됩니다.

장점

• 고용량 밀도: 작은 크기에서 높은 전기 용량을 제공할 수 있습니다.
• 저비용: 대량 생산이 용이하여 비용 효율적입니다.
• 광범위한 사용: 다양한 전자 기기와 산업 장비에 널리 사용됩니다.

단점

• 극성 존재: 올바른 극성으로만 사용 가능하여 설계 시 주의가 필요합니다.
• 수명 제한: 사용 환경과 조건에 따라 수명이 제한적일 수 있습니다.
• 온도 민감도: 높은 온도에서 성능이 저하되며, 전해질의 증발로 인한 손상 가능성이 있습니다.
• 누설 전류: 작은 양의 전류가 지속적으로 흐를 수 있습니다.

알루미늄 전해질 축전기는 그 높은 용량과 비용 효율성 덕분에 다양한 전자 기기와 전력 응용 분야에서 필수적인 역할을 합니다. 적절한 사용 환경과 관리가 이루어진다면 신뢰성 높은 성능을 제공할 수 있습니다.

Mode converter는 전자기파의 전파 경로에서 한 모드에서 다른 모드로 변환하는 장치입니다. 도파관이나 광섬유 시스템에서 특정 모드가 원하는 주파수 대역이나 전파 특성을 제공하지 않을 때 모드 변환기를 사용하여 원하는 모드로 변환할 수 있습니다. 모드 변환기는 다양한 설계와 원리를 기반으로 작동합니다.

Mode Convertor의 주요 유형 및 원리

1. 위상 매칭 변환기 (Phase Matching Convertor):
   • 원리: 위상 매칭을 통해 한 모드의 전기장과 자기장을 다른 모드의 전기장과 자기장으로 변환합니다.
   • 특징: 주파수와 파장에 따라 설계되며, 주로 주파수 선택적인 변환에 사용됩니다.
   • 응용: 마이크로파 도파관 시스템에서 TE10 모드를 TE20 모드로 변환하는 경우 등.
2. 형상 변환기 (Shape Convertor):
   • 원리: 도파관이나 광섬유의 형상을 변화시켜 모드 변환을 유도합니다. 도파관의 폭이나 높이를 조정하거나 특정한 패턴을 형성하여 모드 변환을 달성합니다.
   • 특징: 구조적 변화를 통해 모드를 변환하며, 설계가 단순하고 특정 응용에 효과적입니다.
   • 응용: 직사각형 도파관의 폭을 점진적으로 변화시켜 TE10 모드를 TE20 모드로 변환하는 경우 등.
3. 방사 변환기 (Radiative Convertor):
   • 원리: 한 모드에서 방사된 에너지를 수집하여 다른 모드로 변환합니다. 일반적으로 방사 및 재수집 과정을 통해 모드 변환을 달성합니다.
   • 특징: 에너지 손실이 있을 수 있지만, 다양한 모드 간 변환이 가능하며 유연성이 높습니다.
   • 응용: 안테나 시스템에서 특정 모드를 방사하고 다른 모드로 재수집하여 변환하는 경우 등.
4. 굴절률 변환기 (Refractive Index Convertor):
   • 원리: 매질의 굴절률 분포를 변경하여 모드 변환을 유도합니다. 주로 광섬유 시스템에서 사용됩니다.
   • 특징: 광섬유의 코어와 클래드의 굴절률을 변화시켜 특정 모드를 다른 모드로 변환합니다.
   • 응용: 광섬유 통신 시스템에서 고차 모드를 기본 모드로 변환하는 경우 등.
5. 결합 변환기 (Coupled Mode Convertor):
   • 원리: 두 개 이상의 도파관이나 광섬유를 가까이 배치하여 모드 간의 결합을 통해 에너지를 전달하고 변환합니다.
   • 특징: 두 도파관 사이의 상호작용을 통해 모드를 변환하며, 결합 길이와 간격을 조정하여 원하는 변환을 달성합니다.
   • 응용: 이중 도파관 시스템에서 특정 모드를 다른 모드로 변환하는 경우 등.

Mode Convertor의 응용 분야

1. 통신 시스템:
   • 광섬유 통신: 광섬유에서 다중 모드 간의 간섭을 최소화하거나 특정 모드로 변환하여 신호 품질을 향상시킵니다.
   • 마이크로파 전송: 도파관에서 TE, TM 모드 간 변환을 통해 주파수 효율성을 높이고 신호 전송 품질을 개선합니다.
2. 레이더 시스템:
   • 안테나 설계: 모드 변환기를 사용하여 특정 모드로 변환하여 빔 패턴을 제어하고 레이더 성능을 최적화합니다.
3. 의료 및 센서:
   • 광학 센서: 모드 변환을 통해 감지 정확도와 민감도를 향상시킵니다.
   • 의료 영상: 모드 변환기를 사용하여 고해상도 이미지를 생성합니다.

요약

Mode convertor는 도파관이나 광섬유 시스템에서 한 모드를 다른 모드로 변환하는 데 사용되는 중요한 장치입니다. 다양한 설계와 원리를 통해 모드 변환을 달성하며, 통신, 레이더, 의료 및 센서 응용 분야에서 중요한 역할을 합니다. Mode convertor의 선택과 설계는 시스템의 성능과 효율성을 크게 향상시킬 수 있습니다.

TE10 → TEM Mode Convertor

TE10 모드를 TEM 모드로 변환하는 대표적인 모드 변환기는 주로 도파관에서 동축 케이블로의 변환을 이용합니다. 이는 도파관에서의 TE10 모드를 동축 케이블에서의 TEM 모드로 변환하는 데 사용됩니다. 다음은 그 대표적인 예시들입니다:

1. E-프로브 변환기 (E-Probe Converter)

• 원리: 도파관 내부에 전기장을 감지하는 프로브를 삽입하여 TE10 모드를 감지하고, 이를 동축 케이블로 연결하여 TEM 모드로 변환합니다.
• 구조: 일반적으로 직사각형 도파관의 벽에 작은 구멍을 뚫고 프로브를 삽입합니다. 프로브는 동축 케이블의 내부 도체와 연결되어 전기장을 TEM 모드로 변환합니다.
• 특징: 간단한 설계와 제작이 가능하며, 비교적 넓은 주파수 대역에서 작동할 수 있습니다.

2. 자기장 고리 변환기 (Magnetic Loop Converter)

• 원리: 도파관 내부에 자기장을 감지하는 고리를 삽입하여 TE10 모드를 감지하고, 이를 동축 케이블로 연결하여 TEM 모드로 변환합니다.
• 구조: 도파관의 벽에 고리를 배치하여 도파관 내부의 자기장을 포착합니다. 고리는 동축 케이블의 외부 도체와 연결되어 자기장을 TEM 모드로 변환합니다.
• 특징: 자기장을 이용하여 모드 변환을 수행하며, 특정 주파수에서 높은 효율을 가집니다.

3. 혼 안테나 변환기 (Horn Antenna Converter)

• 원리: 도파관의 끝에 혼 안테나를 부착하여 TE10 모드를 방사하고, 이를 동축 케이블을 통해 TEM 모드로 수신합니다.
• 구조: 혼 안테나는 도파관의 한쪽 끝에 부착되며, 혼의 끝 부분은 동축 케이블과 연결됩니다. 혼 안테나는 전자기파를 방사하여 공간에서 TEM 모드로 변환합니다.
• 특징: 넓은 주파수 대역에서 작동하며, 고출력 신호를 처리할 수 있습니다.

4. 단락 변환기 (Short-circuited Transition Converter)

• 원리: 도파관의 끝을 단락시키고, 단락 지점 근처에 동축 케이블을 연결하여 TE10 모드를 TEM 모드로 변환합니다.
• 구조: 도파관의 끝을 금속으로 막아 단락시킨 후, 단락 지점에서 가까운 곳에 동축 케이블을 연결합니다. 도파관의 전기장이 단락 지점에서 TEM 모드로 변환됩니다.
• 특징: 설계가 간단하며, 특정 주파수에서 높은 변환 효율을 가질 수 있습니다.

5. 테이퍼 변환기 (Tapered Transition Converter)

• 원리: 도파관의 단면적을 점진적으로 줄여 동축 케이블의 단면과 일치시키는 방식으로 TE10 모드를 TEM 모드로 변환합니다.
• 구조: 도파관의 끝을 테이퍼 형태로 설계하여 단면적을 점진적으로 줄입니다. 테이퍼의 끝 부분은 동축 케이블과 연결됩니다.
• 특징: 주파수 대역이 넓으며, 부드러운 변환을 통해 신호 손실을 최소화할 수 있습니다.

요약

TE10 모드를 TEM 모드로 변환하는 모드 변환기에는 E-프로브 변환기, 자기장 고리 변환기, 혼 안테나 변환기, 단락 변환기, 테이퍼 변환기 등이 있습니다. 각각의 변환기는 특정 응용 분야와 주파수 대역에서 장점을 가지며, 선택은 시스템 요구사항에 따라 달라질 수 있습니다.

전자기파의 모드는 도파관 내에서 전자기파가 어떻게 전파되는지를 설명하고 분석하기 위해 도입되었습니다. 이는 전자기파의 분포와 전파 특성을 이해하고 제어하는 데 있어 중요한 개념입니다. 전자기파의 모드 도입 이유를 더 구체적으로 설명하면 다음과 같습니다.

1. 전파 특성 분석

도파관 내에서 전자기파가 어떻게 전파되는지를 분석하기 위해 모드 개념이 도입되었습니다. 도파관의 구조와 크기에 따라 전자기파는 다양한 형태로 전파될 수 있으며, 이를 모드로 분류하여 이해할 수 있습니다.

2. 주파수 및 전파 방향 제어

모드는 도파관 내에서 전파되는 전자기파의 주파수와 전파 방향을 제어하는 데 중요한 역할을 합니다. 특정 모드는 특정 주파수 대역에서만 전파될 수 있으며, 이를 통해 원하는 주파수 대역을 선택하고 제어할 수 있습니다.

3. 에너지 전달 효율

모드를 통해 도파관 내에서 에너지를 효율적으로 전달할 수 있습니다. 특정 모드는 에너지 손실을 최소화하고 높은 전달 효율을 가질 수 있으며, 이를 통해 통신 시스템 및 레이더 시스템의 성능을 향상시킬 수 있습니다.

4. 필터링 및 신호 처리

모드는 도파관 내에서 특정 주파수 대역을 필터링하거나 분리하는 데 사용될 수 있습니다. 이를 통해 신호 처리 및 주파수 분할 다중화 등의 응용에서 중요한 역할을 합니다.

5. 구조적 설계 및 최적화

도파관의 구조적 설계와 최적화에 있어서 모드 개념은 필수적입니다. 도파관의 크기, 형태, 재질 등을 설계할 때 모드를 고려하여 최적의 성능을 얻을 수 있습니다.

요약

전자기파의 모드 개념은 도파관 내에서 전자기파의 전파 특성을 이해하고 제어하는 데 중요한 역할을 합니다. 이를 통해 주파수 제어, 에너지 효율, 신호 처리, 구조적 설계 등을 효과적으로 수행할 수 있으며, 통신, 레이더, 안테나 시스템 등 다양한 응용 분야에서 활용됩니다.

전파의 유형을 설명하는 다양한 모드

Transverse mode 외에도 전자기파의 전파 특성을 설명하는 다양한 모드가 있습니다. 주요 모드 유형에는 Transverse mode 외에도 Hybrid mode가 있으며, 각각의 모드는 특정 상황이나 도파관 구조에 따라 전파 특성을 정의합니다.

주요 모드 유형

1. Transverse Mode:
   • Transverse Electric (TE) 모드: 전기장이 전파 방향에 대해 수직으로만 존재.
   • Transverse Magnetic (TM) 모드: 자기장이 전파 방향에 대해 수직으로만 존재.
   • Transverse Electromagnetic (TEM) 모드: 전기장과 자기장이 모두 전파 방향에 대해 수직으로 존재.
2. Hybrid Mode (HE 모드):
   • 정의: Hybrid mode는 전파 방향에 대해 전기장과 자기장이 모두 일부 성분을 갖는 모드입니다. 이는 TE 모드와 TM 모드의 성질을 혼합한 형태입니다.
   • 특징: Hybrid mode에서는 전기장과 자기장이 모두 전파 방향 성분을 가집니다. 이는 특히 비원형 단면을 가진 도파관이나 비균일 매질에서 자주 발생합니다.
   • 예: 광섬유에서의 HE11 모드가 대표적인 Hybrid mode입니다. 이는 전기장과 자기장의 성분이 모두 포함된 복합적인 모드입니다.

도파관 구조에 따른 모드

• 원형 도파관 (Circular Waveguide):
  • TE 모드와 TM 모드: 직사각형 도파관과 유사하게, TE와 TM 모드가 존재하지만, 원형 대칭에 따라 전기장과 자기장의 분포가 달라집니다.
  • TM01 모드: 원형 도파관에서 흔히 발생하는 기본 모드 중 하나입니다.
• 직사각형 도파관 (Rectangular Waveguide):
  • TE10 모드: 가장 기본적인 모드로, 전파 특성이 안정적이고 효율적입니다.
  • TM11 모드: 특정 주파수에서 전파되는 TM 모드 중 하나입니다.

요약

Transverse mode 외에도 Hybrid mode 등 다양한 모드가 존재합니다. 이러한 모드들은 각각의 전파 특성에 따라 특정 응용 분야에서 사용되며, 도파관의 구조와 사용 환경에 따라 적절한 모드를 선택하여 활용할 수 있습니다. 이러한 모드의 이해와 응용은 통신, 레이더, 광학 시스템 등 다양한 분야에서 중요한 역할을 합니다.

도파관에서의 전파: Tranverse mode

Transverse mode는 도파관이나 광섬유 등에서 전자기파가 전파될 때 전기장과 자기장이 어떤 방식으로 분포하고 전파되는지를 설명하는 개념입니다. Transverse mode는 전자기파의 전파 방향과 수직한 방향에서 전기장(E-field)과 자기장(H-field)의 성분이 어떻게 나타나는지를 설명합니다.

주요 Transverse Mode 종류

1. Transverse Electric (TE) 모드:
   • 정의: TE 모드에서는 전기장이 전파 방향에 대해 수직으로만 존재하고, 전파 방향에 대한 전기장 성분이 없습니다.
   • 특징: TE 모드에서 전기장은 도파관의 단면을 가로지르며, 자기장은 전파 방향을 포함한 모든 방향으로 존재할 수 있습니다.
   • 예: TE10 모드는 직사각형 도파관에서 가장 기본적인 TE 모드입니다.
2. Transverse Magnetic (TM) 모드:
   • 정의: TM 모드에서는 자기장이 전파 방향에 대해 수직으로만 존재하고, 전파 방향에 대한 자기장 성분이 없습니다.
   • 특징: TM 모드에서 자기장은 도파관의 단면을 가로지르며, 전기장은 전파 방향을 포함한 모든 방향으로 존재할 수 있습니다.
   • 예: TM11 모드는 원형 도파관에서 나타날 수 있는 기본 TM 모드 중 하나입니다.
3. Transverse Electromagnetic (TEM) 모드:
   • 정의: TEM 모드에서는 전기장과 자기장 모두 전파 방향에 대해 수직으로 존재하며, 전파 방향에 대한 성분이 없습니다.
   • 특징: TEM 모드는 도파관이 아닌 동축 케이블과 같은 2도체 시스템에서 주로 나타납니다. 이는 전자기파가 진공이나 균일한 매질을 통해 전파될 때의 기본적인 모드입니다.
   • 예: 동축 케이블을 통해 전파되는 신호가 TEM 모드입니다.

Transverse Mode의 중요성

1. 신호 전파 분석:
   • Transverse mode는 도파관이나 광섬유 내에서 신호가 어떻게 전파되는지를 분석하는 데 중요한 역할을 합니다. 이를 통해 신호의 전파 특성을 이해하고 최적화할 수 있습니다.
2. 주파수 특성:
   • 각 모드는 특정 주파수 대역에서만 전파될 수 있으며, 이를 통해 특정 주파수 대역을 선택하고 제어할 수 있습니다. 이는 통신 시스템의 설계와 주파수 할당에 중요한 요소입니다.
3. 에너지 효율:
   • 특정 모드는 도파관 내에서 에너지를 더 효율적으로 전달할 수 있습니다. 이를 통해 전력 손실을 최소화하고 시스템의 효율을 높일 수 있습니다.
4. 모드 간섭 최소화:
   • Transverse mode를 통해 다중 모드 전파에서 발생할 수 있는 간섭을 분석하고 최소화할 수 있습니다. 이를 통해 신호의 순도를 높이고 시스템 성능을 개선할 수 있습니다.

요약

Transverse mode는 도파관이나 광섬유 내에서 전자기파가 어떻게 전파되는지를 설명하는 중요한 개념입니다. TE, TM, TEM 모드는 각각 전기장과 자기장의 분포와 전파 방향에 대한 특징을 다르게 가지며, 이를 통해 신호 전파, 주파수 특성, 에너지 효율, 모드 간섭 최소화 등의 측면에서 중요한 역할을 합니다. 이러한 모드를 이해하고 적절히 활용하는 것은 통신 시스템, 레이더, 광학 시스템 등 다양한 응용 분야에서 필수적입니다.

3-stub tuner를 도파관에 배치할 때, guided wavelength의 길고 짧음은 특정 응용과 요구사항에 따라 다르게 유리할 수 있습니다. 일반적으로 3-stub tuner는 도파관의 임피던스를 조정하고 정재파비(SWR)를 최소화하기 위해 사용됩니다. 아래는 guided wavelength가 긴 경우와 짧은 경우 각각의 장단점을 설명합니다.

2.45 GHz 에서 WR284 도파관을 사용할 때 3 Stub Tuner의 배치

2.45 GHz 주파수에서 3-stub tuner를 도파관에 배치할 때 guided wavelength의 길고 짧음에 대한 고려 사항을 구체적으로 살펴보겠습니다.

2.45 GHz에서의 Guided Wavelength

앞서 계산한 바와 같이, WR284 도파관에서 2.45 GHz 주파수의 전자기파의 guided wavelength는 약 232.37 mm입니다.

Guided Wavelength가 긴 경우의 장점

1. 정밀 조정 가능: 긴 guided wavelength는 stub 간의 간격이 넓어지므로, 각 stub를 미세하게 이동시키면서 정밀하게 임피던스를 조정할 수 있습니다.
2. 설계의 유연성: stub 간의 간격이 넓어지면 더 다양한 배치를 통해 임피던스를 조정할 수 있어 설계에 유연성을 제공합니다.

Guided Wavelength가 짧은 경우의 장점

2.45 GHz에서는 이미 guided wavelength가 상대적으로 짧기 때문에 주파수가 더 높은 경우와 비교하여 stub 간의 간격이 너무 좁아지지 않으며, 조정의 정밀도와 설계의 유연성 사이에서 균형을 맞출 수 있습니다.

고려 사항

• 도파관의 물리적 크기: WR284 도파관의 크기(2.84 inches x 1.34 inches)는 2.45 GHz에서 적절한 guided wavelength를 제공하며, stub 간의 간격이 너무 좁거나 넓지 않아 적절한 임피던스 매칭이 가능합니다.
• 설계와 조정의 용이성: 232.37 mm의 guided wavelength는 각 stub의 간격을 적절하게 조정할 수 있는 충분한 공간을 제공하므로, 정밀한 조정이 가능합니다.

결론

2.45 GHz 주파수에서 WR284 도파관을 사용하여 3-stub tuner를 배치하는 경우, guided wavelength는 약 232.37 mm로 적절한 길이를 가지고 있습니다. 이는 각 stub 간의 간격이 너무 좁지도 않고 넓지도 않아, 임피던스를 정밀하게 조정할 수 있는 이상적인 조건을 제공합니다.

따라서, 2.45 GHz 주파수에서는 현 guided wavelength가 유리하며, 이를 활용하여 효과적인 3-stub tuner 설계를 진행할 수 있습니다.

3-Stub Tuner 배치 기준

1. Guided Wavelength ($\lambda_g$​) 계산: 이미 앞서 계산한 바와 같이, 2.45 GHz에서 WR284 도파관의 guided wavelength는 약 232.37 mm입니다.
2. Stub 간 거리: 일반적인 배치 비율은 $\lambda_g$g​의 1/4입니다. 이는 약 58.09 mm입니다. 따라서 각 stub 간의 거리는 이 값을 기준으로 설정할 수 있습니다. 다른 비율(예: $\lambda_g / 8$ 또는 $\lambda_g / 2$)도 사용될 수 있으나, 일반적인 경우 1/4이 많이 사용됩니다.

예시: 3-Stub Tuner 배치

• Guided Wavelength ($\lambda_g$​): 232.37 mm
• Stub 간 거리: $\lambda_g / 4 = 232.37 \text{ mm} / 4 \approx 58.09 \text{ mm}$

배치 예시

• Stub 1: 도파관의 기준점 (예: 시작점)
• Stub 2: Stub 1으로부터 58.09 mm
• Stub 3: Stub 2로부터 58.09 mm

구체적인 배치 방법

1. Stub 1을 기준점에 배치합니다.
2. Stub 2를 Stub 1으로부터 58.09 mm 떨어진 위치에 배치합니다.
3. Stub 3을 Stub 2로부터 58.09 mm 떨어진 위치에 배치합니다.

이렇게 하면 3-stub tuner의 각 stub는 guided wavelength의 1/4 간격으로 배치되어, 최적의 임피던스 매칭을 수행할 수 있습니다.

최적화 및 조정

실제 설계에서는 측정 장비를 사용하여 각 stub의 위치를 미세하게 조정할 수 있습니다. 이를 통해 최적의 정재파비(SWR)를 얻을 수 있습니다. 주파수와 응용 환경에 따라 stub 간 거리를 조정하는 것이 필요할 수 있습니다.

결론

3-stub tuner를 도파관에 배치할 때는 각 stub 간의 거리를 guided wavelength의 1/4로 설정하는 것이 일반적입니다. 이는 최적의 임피던스 매칭을 가능하게 하며, 2.45 GHz에서 WR284 도파관을 사용하는 경우 각 stub 간의 거리는 약 58.09 mm로 설정하면 됩니다.

2.45 GHz 에서 WR340 도파관을 사용할 때 3 Stub Tuner의 배치

WR340 도파관에서 2.45 GHz 주파수를 사용할 때의 stub 간 거리를 계산하기 위해, 먼저 해당 도파관에서의 guided wavelength를 계산해야 합니다. WR340 도파관의 특성을 고려하여 guided wavelength를 계산한 후, stub 간 거리를 결정할 수 있습니다.

WR340 도파관의 특성

• 내부 단면 크기: 3.4 inches x 1.7 inches (86.36 mm x 43.18 mm)
• TE₁₀ 모드의 cutoff 주파수 (fcf_cfc​): 약 1.736 GHz
• cutoff wavelength ($\lambda_c$​): 약 172.4 mm

주어진 조건

• 주파수 ($f$): 2.45 GHz

계산 단계

1. 자유 공간에서의 파장 ($\lambda_0$​) 계산: $\lambda_0 = \frac{c}{f}$ 여기서 $c$는 빛의 속도 (약 3 X 10^8 m/s).
2. $\lambda_0 = \frac{3 \times 10^8 \text{ m/s}}{2.45 \times 10^9 \text{ Hz}} \approx 0.12245 \text{ meters}$ 
   $\lambda_0 \approx 122.45 \text{ mm}$
3. Guided wavelength ($\lambda_g$​) 계산: $\lambda_g = \frac{\lambda_0}{\sqrt{1 - \left(\frac{\lambda_0}{\lambda_c}\right)^2}}$​​
4. $\lambda_g = \frac{122.45 \text{ mm}}{\sqrt{1 - \left(\frac{122.45 \text{ mm}}{172.4 \text{ mm}}\right)^2}}$
   $\lambda_g = \frac{122.45 \text{ mm}}{\sqrt{1 - \left(0.710\right)^2}}$
   $\lambda_g \approx 173.96 \text{ mm}$

Stub 간 거리 계산

• 일반적으로 guided wavelength의 1/4을 stub 간 거리로 사용합니다.

$$\text{Stub distance} = \frac{\lambda_g}{4} = \frac{173.96 \text{ mm}}{4} \approx 43.49 \text{ mm}$$

결론

WR340 도파관에서 2.45 GHz 주파수를 사용할 때, 각 stub 간의 거리는 guided wavelength의 1/4인 약 43.49 mm로 설정하는 것이 적절합니다. 이를 통해 3-stub tuner를 배치할 때 최적의 임피던스 매칭을 달성할 수 있습니다.

2.45 GHz에서 WR340과 WR284의 장단점?

WR340 도파관과 WR284 도파관을 2.45 GHz에서 사용할 때의 장단점은 도파관의 물리적 크기와 특성, 그리고 응용 환경에 따라 다릅니다. 아래는 각각의 도파관을 사용할 때의 주요 장단점을 정리한 것입니다.

WR340 도파관

장점

1. 더 낮은 손실: WR340 도파관은 물리적으로 더 크기 때문에, 동일한 주파수에서 더 낮은 전력 손실을 가질 수 있습니다. 이는 특히 고출력 전송에서 유리합니다.
2. 더 큰 전력 처리 능력: 큰 단면적은 더 많은 전력을 처리할 수 있어, 높은 전력 응용에 적합합니다.
3. 온도 관리: 더 큰 표면적은 열 방출에 유리하므로, 고출력 상황에서 도파관의 온도 관리가 더 용이합니다.

단점

1. 더 큰 크기: 물리적 크기가 커서, 설치 공간이 제한적인 경우 사용이 어려울 수 있습니다.
2. 무게: 큰 도파관은 무게가 더 많이 나가므로, 설치와 유지보수가 더 어려울 수 있습니다.
3. Stub 간 거리: guided wavelength가 길어져서 stub 간 거리가 멀어지므로, 정밀한 튜닝이 필요할 수 있습니다.

WR284 도파관

장점

1. 더 작은 크기: WR284 도파관은 물리적으로 더 작아서, 설치 공간이 제한적인 경우 더 적합합니다.
2. 경량성: 상대적으로 가벼워서, 설치와 유지보수가 더 용이합니다.
3. Stub 간 거리: guided wavelength가 상대적으로 짧아 stub 간 거리도 짧아져, 조정이 더 용이할 수 있습니다.

단점

1. 더 높은 손실: 물리적 크기가 작아, 동일한 주파수에서 전력 손실이 더 클 수 있습니다.
2. 전력 처리 능력 제한: 작은 단면적은 전력 처리 능력이 제한적이어서, 고출력 응용에 덜 적합할 수 있습니다.
3. 열 관리: 작은 표면적은 열 방출이 상대적으로 어려워, 고출력 상황에서 온도 관리가 더 어려울 수 있습니다.

결론

WR340 도파관은 고출력 응용, 낮은 전력 손실, 그리고 효율적인 열 관리가 중요한 경우에 유리합니다. 그러나 큰 크기와 무게로 인해 설치 공간이 넉넉하고 무게를 지탱할 수 있는 구조가 필요합니다.

WR284 도파관은 설치 공간이 제한적이고, 경량성이 요구되는 경우에 유리합니다. 하지만 전력 처리 능력이 제한적이고, 고출력 응용에서는 더 높은 전력 손실과 열 관리의 어려움이 있을 수 있습니다.

따라서, 구체적인 응용 환경과 요구사항을 고려하여 도파관을 선택하는 것이 중요합니다. 2.45 GHz에서 사용하는 주파수 대역에 따라 각 도파관의 특성을 잘 이해하고, 적절히 선택해야 합니다.

WR284 도파관은 직사각형 파동 가이드(rectangular waveguide)로, 주로 마이크로파 및 RF 신호 전송에 사용됩니다. 도파관에서의 guided wavelength (λ_g)는 전자기파가 도파관 내부를 전파할 때, 그 경로와 특성에 따라 달라집니다.

도파관에서의 Guided Wavelength

도파관에서의 guided wavelength는 자유 공간에서의 파장( $\lambda_g​$ )과 도파관의 cutoff wavelength( $\lambda_c$​ )에 의해 결정됩니다. 일반적으로 다음 공식으로 구할 수 있습니다:

$$\lambda_g = \frac{\lambda_0}{\sqrt{1 - \left(\frac{\lambda_0}{\lambda_c}\right)^2}}$$

​​

여기서:

• $\lambda_g​$는 도파관 내에서의 guided wavelength입니다.
• $\lambda_0$는 자유 공간에서의 파장입니다.
• $\lambda_c$​는 도파관의 cutoff wavelength입니다.

WR284 도파관의 특성

WR284 도파관의 주요 특성은 다음과 같습니다:

• 내부 단면 크기: 2.84 inches x 1.34 inches (72.136 mm x 34.036 mm)
• cutoff 주파수 (TE₁₀ 모드): 약 2.08 GHz
• cutoff wavelength ($\lambda_c$​): 약 144 mm

예제 계산

1. 자유 공간 파장 계산: $\lambda_0 = \frac{c}{f}$​ 여기서 ccc는 빛의 속도 (약 3 X 10^8 m/s), $f$는 주파수입니다.
2. Guided Wavelength 계산: 주파수가 3 GHz일 때의 guided wavelength를 계산해 보겠습니다.
   • 자유 공간 파장: $\lambda_0 = \frac{3 \times 10^8}{3 \times 10^9} = 0.1 \text{ meters} (100 \text{ mm})$
   • Guided Wavelength: $\lambda_g = \frac{100}{\sqrt{1 - \left(\frac{100}{144}\right)^2}}$ ≈ 139.1 mm

따라서, WR284 도파관에서 주파수가 3 GHz일 때의 guided wavelength는 약 139.1 mm입니다.

이와 같은 방식으로 다른 주파수에 대해서도 guided wavelength를 계산할 수 있습니다.

왜 자유공간일때와 도파관 내부에서와 파장의 길이가 차이가 나나요?

도파관에서 전파되는 전자기파의 guided wavelength가 자유 공간에서의 파장과 다른 이유는 다음과 같은 물리적 특성 때문입니다.

도파관의 물리적 구조와 전자기파 모드

1. 경계 조건: 도파관은 전자기파를 금속 경계 내에서 전파시키며, 이러한 경계 조건이 전자기파의 전파 특성을 변경합니다. 금속 경계는 전자기파의 반사와 모드 형성을 유도하여, 전파되는 파동의 파장을 변경합니다.
2. 모드의 형성: 도파관에서는 전자기파가 특정한 모드로 전파됩니다. 가장 일반적인 모드는 TE₁₀ 모드로, 이 모드에서는 전기장이 도파관의 넓은 벽에 평행하게 배열됩니다. 이러한 모드는 도파관의 치수에 따라 cutoff 주파수가 존재하며, 이 주파수 이하에서는 전파되지 않습니다.
3. Cutoff 주파수와 파장: 도파관의 cutoff 주파수는 전자기파가 도파관을 통해 전파될 수 있는 최소 주파수를 의미합니다. cutoff 주파수보다 낮은 주파수에서는 전자기파가 전파되지 않고, 그 이상에서는 특정 모드로 전파됩니다. 이 cutoff 주파수는 도파관의 물리적 치수에 의해 결정됩니다.
4. 파장의 변화: 자유 공간에서는 전자기파가 장애물 없이 직진하지만, 도파관 내부에서는 금속 벽에 의해 다중 반사되고 특정한 경로를 따라 전파됩니다. 이는 전자기파의 유효 경로 길이를 증가시켜 파장을 변경하게 됩니다.

수학적 설명

자유 공간에서의 파장 $\lambda_0$​와 도파관 내부에서의 파장 $\lambda_g$​ 간의 관계는 다음과 같습니다:

$$\lambda_g = \frac{\lambda_0}{\sqrt{1 - \left(\frac{\lambda_0}{\lambda_c}\right)^2}}$$​

이 공식에서 볼 수 있듯이, 도파관의 cutoff 파장 $\lambda_c$​에 가까워질수록 $\lambda_g$​는 급격히 증가합니다. 이는 도파관 내부에서 전자기파가 전파될 때, 자유 공간에서보다 더 긴 경로를 따라 전파되기 때문입니다.

예제 비교

자유 공간에서 주파수가 3 GHz일 때 파장 $\lambda_0$​는 100 mm입니다. 하지만 WR284 도파관 내부에서 같은 주파수에서의 파장 $\lambda_g$​는 약 139.1 mm입니다. 이는 도파관의 경계 조건과 모드 형성에 의해 전파 경로가 길어지기 때문입니다.

이런 이유로 도파관 내부의 guided wavelength는 자유 공간에서의 파장과 크게 다를 수 있습니다. 도파관 설계 시 이러한 특성을 고려하여 설계하고 사용합니다.

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도파관의 Lower cutoff frequency와 upper cutoff frequency 중 어느걸 사용해서 계산해야 되나요?

도파관의 cutoff frequency는 도파관의 모드와 관련된 주파수입니다. 일반적으로 도파관의 cutoff frequency는 특정 모드의 전파가 시작되는 가장 낮은 주파수를 의미합니다. 도파관의 경우, 주로 TE₁₀ 모드의 lower cutoff frequency를 사용하여 계산합니다. 상위 모드가 전파되는 주파수는 upper cutoff frequency라고 할 수 있지만, 기본적인 TE₁₀ 모드의 경우 upper cutoff frequency가 따로 정의되지 않습니다.

도파관에서 전파되는 주파수가 lower cutoff frequency보다 높고 upper cutoff frequency보다 낮은 범위에 있을 때 도파관이 정상적으로 작동합니다.

따라서 guided wavelength 계산 시에는 주로 lower cutoff frequency를 사용합니다. WR284 도파관의 lower cutoff frequency는 TE₁₀ 모드에 해당하는 약 2.08 GHz입니다. 이를 기준으로 guided wavelength를 계산해야 합니다.

따라서 앞서 설명드린 계산 방법은 맞습니다. 이때 upper cutoff frequency는 도파관이 특정 모드에서 상위 모드로 전환되는 주파수를 의미하며, 상위 모드의 cutoff frequency는 다른 모드에서의 전파 시작 주파수를 의미합니다. 이 값을 사용하는 경우는 모드를 전환하거나, 상위 모드의 특성을 고려할 때입니다.

따라서, 주파수 범위가 lower cutoff frequency보다 높은 경우, lower cutoff frequency를 사용하여 guided wavelength를 계산하는 것이 맞습니다.

도파관의 90도 엘보를 제작할 때 주의해야 할 점은 여러 가지가 있습니다. 주요한 주의사항을 아래에 정리해 보았습니다:

1. 정밀한 치수 관리:
• 도파관의 치수는 전자파 전송 성능에 큰 영향을 미치기 때문에 정밀하게 제작해야 합니다. 특히 90도 엘보의 각도와 내부 곡률 반경이 정확해야 합니다.
2. 곡률 반경:
• 도파관의 90도 엘보는 내부의 곡률 반경이 충분히 커야 전송 손실을 최소화할 수 있습니다. 곡률 반경이 너무 작으면 반사와 전송 손실이 증가할 수 있습니다.
3. 도파관의 매칭:
• 엘보 부분이 다른 직선 도파관과 매칭될 때 임피던스가 잘 맞아야 합니다. 매칭이 잘못되면 반사 손실이 커질 수 있습니다.
4. 재료 선택:
• 도파관 제작에 사용하는 재료는 전도성과 기계적 강도가 높아야 합니다. 일반적으로 동, 은, 알루미늄 등이 사용됩니다. 재료의 균일한 두께와 일관된 전도성을 유지하는 것이 중요합니다.
5. 표면 마감:
• 도파관의 내부 표면은 가능한 한 매끄럽게 마감해야 전자파의 반사와 흡수 손실을 줄일 수 있습니다. 불균일한 표면은 전송 특성에 악영향을 미칠 수 있습니다.
6. 용접 및 조립:
• 용접이나 조립 과정에서의 정밀도가 중요합니다. 용접부가 매끄럽게 처리되지 않으면 전송 특성에 영향을 줄 수 있습니다.
7. 테스트 및 검증:
• 제작된 도파관 엘보는 전송 특성, 반사 손실, 삽입 손실 등을 측정하여 규격에 맞는지 확인해야 합니다. 필요시 TDR(Time Domain Reflectometry) 테스트를 통해 불균일성이나 결함을 확인할 수 있습니다.

이러한 점들을 주의 깊게 고려하면 도파관의 90도 엘보를 성공적으로 제작할 수 있습니다.

엘보의 반경은 어느정도로 해야하나?(WR284)

WR284 도파관의 90도 엘보를 설계할 때, 곡률반경은 전송 손실과 반사 손실을 최소화하기 위해 중요합니다. 일반적으로 도파관의 곡률 반경은 다음과 같은 가이드를 따릅니다:

• 일반적인 가이드라인: 도파관의 폭의 최소 2배에서 3배 정도의 곡률 반경을 유지하는 것이 좋습니다.

WR284 도파관의 경우, 단면의 폭이 약 72.14 mm(2.84 인치)이므로, 곡률 반경은 최소 약 144.28 mm(5.68 인치)에서 216.42 mm(8.52 인치) 정도가 적절합니다.

즉, WR284 도파관의 90도 엘보를 설계할 때 권장되는 최소 곡률 반경은 약 144 mm 이상이어야 하며, 가능하면 200 mm 이상으로 설계하여 전송 손실을 최소화하는 것이 좋습니다.

이러한 기준을 따름으로써 도파관의 성능을 최적화할 수 있습니다.

WR284 도파관의 90도 엘보를 설계할 때 권장되는 곡률 반경에 대한 자료는 다음과 같습니다:

1. H-Plane 곡률 반경: 최소 110mm (4.331 인치)
2. E-Plane 곡률 반경: 최소 68mm (2.677 인치)

이 수치는 도파관의 손실을 최소화하고 반사를 줄이기 위해 중요합니다. 예를 들어, AFT Microwave에서 제공하는 WR284 H-Plane 90도 도파관의 곡률 반경은 77.5mm로, 이는 주파수 범위 2856MHz에서 2998MHz에서 사용되며 삽입 손실이 0.05dB로 매우 낮습니다

따라서, WR284 도파관을 설계할 때 최소한의 곡률 반경을 110mm 이상으로 유지하는 것이 전송 성능을 최적화하는 데 도움이 됩니다. 이는 일반적인 권장 사항으로, 실제 설계 시에는 특정 응용과 주파수 요구 사항에 따라 조정할 수 있습니다.

https://www.everythingrf.com/products/waveguide-bends/aft-microwave-gmbh/622-1837-hb-wr284-02

WR284 (웨이브가이드)

• 주파수 범위: 2.6 GHz ~ 3.95 GHz
• 치수: 내부 치수 2.84인치 x 1.34인치
• 용도: S-밴드 애플리케이션, 레이더 시스템 및 일부 통신 시스템에 주로 사용
• 특징: 중간 크기의 웨이브가이드로, 전력 처리 능력과 주파수 범위 사이에서 좋은 균형을 제공

WR340 (웨이브가이드)

• 주파수 범위: 2.2 GHz ~ 3.3 GHz
• 치수: 내부 치수 3.40인치 x 1.70인치
• 용도: 일반적으로 C-밴드 레이더 시스템 및 통신 링크에 사용
• 특징: 더 낮은 주파수와 좋은 전력 처리 능력을 허용하는 더 큰 웨이브가이드

N 커넥터

• 유형: 동축 RF 커넥터
• 주파수 범위: 최대 11 GHz (표준 버전); 고성능 버전은 최대 18 GHz까지 가능
• 용도: 무선 통신, 방송 장비 및 네트워킹 하드웨어에 널리 사용
• 특징: 고주파에서 좋은 성능을 제공하며, 50-옴 및 75-옴 버전으로 제공

DIN 4 커넥터

• 유형: 멀티 핀 전기 커넥터 (RF 애플리케이션에 특정하지 않음)
• 일반 용도: 오디오 및 비디오 장비, 데이터 전송 애플리케이션, 전원 공급 장치
• 핀: 일반적으로 4핀이나 구성에 따라 다를 수 있음 (예: DIN 5, DIN 6)
• 특징: 다양한 전자 장치에서 신뢰할 수 있는 연결을 제공하는 원형 커넥터로, 다양한 핀 배열이 있음

각 커넥터 및 웨이브가이드 유형은 특정 주파수 범위 및 애플리케이션에 맞춰 설계되어 있으며, 해당 분야에서 최적의 성능을 제공합니다.

각 Cable / Waveguide의 최대 Power

WR284 (웨이브가이드)

• 전력 처리 능력: WR284 웨이브가이드는 일반적으로 약 1 MW (메가와트) CW를 처리할 수 있으며, 펄스 애플리케이션에서는 수 메가와트 이상의 전력을 처리할 수 있습니다.

WR340 (웨이브가이드)

• 전력 처리 능력: WR340 웨이브가이드는 일반적으로 약 1.5 MW CW를 처리할 수 있으며, 펄스 애플리케이션에서는 몇 메가와트 이상의 전력을 처리할 수 있습니다.

N 커넥터

• 전력 처리 능력: N 커넥터의 전력 처리 능력은 주파수에 따라 다릅니다:
• 1 GHz 이하: 일반적으로 최대 약 1000 W (1 kW)
• 1 GHz에서 2 GHz: 약 600 W
• 2 GHz에서 3 GHz: 약 400 W
• 3 GHz 이상: 주파수가 높아짐에 따라 감소하며, 일반적으로 고주파에서는 약 200 W

DIN 4 커넥터

• 전력 처리 능력: DIN 4 커넥터는 주로 오디오, 비디오 및 데이터 전송 애플리케이션에 사용되며, RF 전력 애플리케이션에 적합하지 않습니다. 따라서 일반적으로 몇 와트 (특정 설계 및 애플리케이션에 따라 최대 10-20 W)의 전력을 처리합니다. RF 애플리케이션에서는 7/16 DIN 커넥터가 사용되며, 이는 수 kW 수준의 전력을 처리할 수 있습니다.

웨이브가이드와 커넥터의 전력 처리 능력은 설계, 재료, 환경 조건 및 냉각 메커니즘에 따라 달라질 수 있습니다.

서큘레이터(Circulator)와 아이솔레이터(Isolator)는 주로 마이크로파 및 RF(Radio Frequency) 시스템에서 사용되는 두 가지 중요한 패시브 소자입니다. 이 둘의 주요 차이점과 특성을 설명하겠습니다.

서큘레이터(Circulator)

1. 정의: 서큘레이터는 다수의 포트를 가지며, 신호를 한 방향으로만 순환시키는 소자입니다.
2. 포트 수: 일반적으로 3포트 또는 4포트 형태로 제공됩니다.
3. 동작 원리: 입력된 신호는 인접한 다음 포트로 전달되며, 한 방향으로만 흐릅니다. 예를 들어, 3포트 서큘레이터의 경우, 포트 1로 들어간 신호는 포트 2로 나가고, 포트 2로 들어간 신호는 포트 3으로 나가며, 포트 3로 들어간 신호는 포트 1로 나갑니다.
4. 용도: 주로 송신기와 수신기를 동일 안테나로 연결할 때 사용됩니다. 또한, 주파수 도메인에서 신호를 분배하거나 합치는 데 사용됩니다.

아이솔레이터(Isolator)

1. 정의: 아이솔레이터는 신호를 한 방향으로만 통과시키고 반대 방향의 신호는 차단하는 소자입니다.
2. 포트 수: 일반적으로 2포트 형태로 제공됩니다.
3. 동작 원리: 한 방향으로 들어온 신호는 그대로 통과하지만, 반대 방향으로 들어오는 신호는 흡수되거나 반사됩니다. 예를 들어, 포트 1에서 포트 2로는 신호가 전달되지만, 포트 2에서 포트 1로는 전달되지 않습니다.
4. 용도: 주로 반사된 신호나 피드백을 차단하여 회로 보호를 위해 사용됩니다. 고출력 증폭기나 레이저 시스템에서 특히 유용합니다.

요약

• 서큘레이터: 신호를 여러 포트 사이에서 순환시키는 소자. 다수의 포트를 가지고 있으며 신호가 지정된 방향으로만 흐름.
• 아이솔레이터: 신호를 한 방향으로만 통과시키고 반대 방향의 신호는 차단하는 소자. 2포트를 가지고 있음.

이 두 소자는 각기 다른 용도로 사용되지만, 모두 RF 및 마이크로파 시스템에서 중요한 역할을 합니다.

서큘레이터를 아이솔레이터로 만들려면?

3포트 서큘레이터에서 포트 하나에 저항을 연결하면 그 서큘레이터는 아이솔레이터처럼 동작합니다. 구체적으로 설명하자면:

3포트 서큘레이터의 아이솔레이터 변환

1. 기본 동작 원리: 3포트 서큘레이터의 기본 동작은 포트 1에서 포트 2로, 포트 2에서 포트 3으로, 포트 3에서 포트 1로 신호가 전달됩니다.
2. 저항 연결: 만약 포트 3에 저항을 연결하면, 포트 3로 들어오는 신호는 저항에 의해 흡수됩니다. 이로 인해 포트 1에서 포트 2로 신호가 전달되고, 포트 2에서 포트 3으로 신호가 전달되지만, 포트 3로 들어오는 신호는 흡수되므로 포트 1로 돌아오지 않습니다.
3. 아이솔레이터처럼 동작: 이렇게 포트 3에 저항이 연결된 서큘레이터는 포트 1에서 포트 2로 신호가 전달되고, 포트 2에서 포트 1로 신호가 전달되지 않으므로, 사실상 아이솔레이터처럼 동작하게 됩니다.

요약

• 3포트 서큘레이터에서 포트 하나(예: 포트 3)에 저항을 연결하면, 그 포트로 들어오는 신호가 흡수되어 반사되지 않기 때문에, 서큘레이터가 아이솔레이터처럼 동작하게 됩니다.
• 이는 포트 1에서 포트 2로 신호는 전달되지만, 포트 2에서 포트 1로 신호는 전달되지 않는 아이솔레이터의 특성을 가지게 합니다.